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科学家制成大面积单晶硼纳米线

发布时间:2017-12-03 阅读:

  科学家们制造了大面积的单晶硼纳米线

  硼(B)是一种理想的新型场发射阴极材料,具有高热稳定性,高熔点,高硬度,高拉伸强度和杨氏模量,低电子亲和力等理化性能,制备低维硼纳米线非常难以生长,特别是用于制备大面积单晶硼纳米结构及其阵列。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理实验室高鸿钧研究小组近年来对B纳米结构和其基本的物理性质是探索和研究,他们用碳热法获得了大面积的具有良好电场和场发射性质的新型一维硼纳米锥结构(Adv.Mater.19,4480(2007))。最近,高鸿钧研究组的博士生刘宏得到了一种大面积的单晶硼纳米线,其四方晶体结构具有长度为几个微米,直径为20-40nm。单晶硼纳米线的功函数为4.4eV,低于块体硼材料的功函数。单硼纳米线的电导率在3×10 -3〜8×10 -3(Ω·cm -1)之间,线的场发射电流密度为2×10 5〜4×10 5 A / cm 2,具有良好的热稳定性。本研究结果表明硼纳米线可能成为新一代场发射阴极材料。与中山大学徐宁生教授等合作。结果发表在最近的Adv。母校。 Nanowerk的网站上报道的结果是“硼纳米线成为优秀的场发射纳米材料”的研究亮点。此外,研究小组的田吉发和他的同事也获得了具有金刚石结构的单晶硼纳米线。硼纳米线具有良好的柔韧性,纳米线的电导率在3%应变下保持不变,这表明硼纳米线可能成为柔性显示材料,最近发表在Appl.Phys.Lett。 (中国科学院物理研究所)(Adv.Mater。,20,2609(2008),刘飞鸿,洪俊杰,中国科学院物理研究所, Gao,Appl.Phys.Lett。,122105(2008),田季法,高红军)

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